Energies Renouvelables

Informations du 24.11.2009

Mon site, consacré à ce sujet est actuellement en stand-by car mes activités professionnelles et la formation que je suis en // absorbent la plus part de mon temps. J'attends la période de Noël avec impatience afin de m'y atteler une bonne fois pour toute.

Ce site présente pour l'instant une grande carte de visite:

Infos Technologiques du 25.11.2009

La société japonaise Sharp a annoncé le 22 octobre 2009 qu'elle a développé une nouvelle cellule photovoltaïque
d'un rendement de conversion de 35,8% !
Ce qui constitue un nouveau record mondial pour une cellule au niveau laboratoire,
sans utilisation d'un concentrateur solaire.
En utilisant un concentrateur à un grossissement de 1000, le rendement de conversion atteint les 45%.

Le chiffre a été certifié par l'AIST [1] en septembre de cette année.
Les recherches ont été réalisées dans le cadre du projet
"Recherche et Développement de Technologies Photovoltaïques Révolutionnaires" de la NEDO [2].

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• [1] Institut National des Sciences et Techniques Industrielles Avancées - organisme public de recherche.
• [2] Organisation pour le Développement des Energies Nouvelles et des Technologies Industrielles : organisme public de financement de la recherche.

Matériaux utilisés:

Il s'agit d'une cellule triple jonction, c'est-à-dire qu'elle comporte trois couches qui absorbent chacune des longueurs d'onde de lumière différentes. Cela permet d'augmenter le spectre de la lumière absorbée par la cellule et ainsi d'obtenir un rendement plus élevé qu'avec une cellule à une seule couche. Les cellules triples jonction sur lesquelles travaillait la société jusqu'à présent étaient composées de phosphure de gallium indium (InGaP) pour la couche supérieure, d'arséniure de gallium-indium (InGaAs) pour la couche médiane, et de germanium (Ge) pour la couche inférieure.

Les couches en germanium sont faciles à fabriquer, mais la moitié du courant électrique qui apparait dans cette couche ne pouvant pas être utilisé, les chercheurs de Sharp ont décidé de remplacer ce matériau par de l'arséniure de gallium indium. La nouvelle cellule est ainsi constituée de phosphure de gallium indium pour la couche supérieure, d'arséniure de gallium pour la couche médiane, et d'arséniure de gallium indium pour la couche inférieure.

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Sources:
• Communiqué de presse de Sharp - 22/10/2009 (japonais) - http://www.sharp.co.jp/corporate/news/091022-a.html
• Tech-on - 22/10/2009 (japonais) - http://techon.nikkeibp.co.jp/article/NEWS/20091022/176716/?ST=PV

Site de publication originale:
http://www.bulletins-electroniques.com/actualite/60906.htm